技術(shù)文章
Technical articles熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(E...
掃描探針顯微鏡是目前一種用途廣泛的表面分析儀器,它不僅廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域,還在微納制造和微電子等的應(yīng)用研究領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而,目前商業(yè)化的掃描探針顯微鏡主要為單一探針的工作模式,其功能相對單一,難以實現(xiàn)一些較為復(fù)雜的實驗及檢測功能。例如,在特殊環(huán)境下(如真空或輻射環(huán)境)的微觀磨損實驗中,若采用單一探針模式,在完成磨損實驗后,需要更換曲率半徑更小的針尖才能對表面磨損區(qū)域進(jìn)行原位的高分辨形貌掃描與觀測。然而,在更換針尖的過程中,微觀磨損...
針對光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問題,設(shè)計了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達(dá)10-6Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時避免了靶裝置在預(yù)先清洗時的污染;設(shè)計了靶裝置的驅(qū)動端,完成了電機(jī)、傳動裝置和軸承的選型。(2)設(shè)計等離子體源來改善沉積系統(tǒng)離化率不足的問題。選擇0.2mm鎢絲...
集成電路自動化裝備-探針臺是晶圓測試領(lǐng)域研究的熱點。由于晶圓片上晶粒很小,達(dá)到微米級,所以要求探針臺要保持很高的定位精度和運(yùn)動精度才能保證探針與晶粒的準(zhǔn)確對針和測試。因此,本文主要研究的問題是如何保證探針臺高精密控制,從而達(dá)到微米級定位要求。本文來自于國家02專項-面向12”晶圓片的全自動探針臺關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺兩大部分-LOADER和PROBER的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和運(yùn)動流程；其次,本文重點對預(yù)對位、Z軸升降、XY平臺三個關(guān)鍵部件的精準(zhǔn)控制進(jìn)行研究,分析影響控制精度...
紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,因此備受各國重視,競相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。由于國外對紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來我國在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域取得了一些進(jìn)展,但很多方面還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于世界水平。因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)的研究進(jìn)度、減小研究周期、提升研究效率,降低研究及生產(chǎn)成本為目標(biāo),以紅外熱成像系統(tǒng)的核心部分非制冷紅外焦平面為基礎(chǔ),研究紅外焦平面封裝前...
Q1:什么是PVD?真空電鍍加工真空鍍膜技術(shù)A1:PVD是英文PhysicalVaporDeposition的縮寫，中文意思是“物理氣相沉積”，是指在真空條件下，用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術(shù)。鄭州科探儀器設(shè)備有限公司新研發(fā)一款小型蒸鍍儀KT-Z1650DM是一款小型臺式加熱功率可控蒸發(fā)鍍膜儀，儀器雖小功能齊全，配備有電壓電流反饋,樣品臺旋轉(zhuǎn)，樣品高度調(diào)節(jié)，及電動擋板功能。通過定時調(diào)節(jié)預(yù)熱功率及蒸發(fā)功率，可對大部分金屬進(jìn)行均勻蒸發(fā)沉積，真空腔室為透明石英玻璃...
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